[반도체공정] EUV Lithography Term paper (영문작성)

1. Introduction to EUV Lithography

극자외선(EUV) 리소그래피는 반도체 제조 공정에서 극자외선(13.5나노미터 파장)을 이용하여 미세한 회로 패턴을 웨이퍼 표면에 전사하는 기술이다. 기존의 DUV(Deep Ultraviolet) 리소그래피 기술이 파장 193나노미터를 사용하는 것과 대비되어 EUV는 훨씬 짧은 파장을 갖고 있어 더 높은 해상도를 제공한다. 이는 7나노미터 이하 공정을 실현하는 데 필수적이며, 미세공정의 한계 돌파에 중요한 역할을 한다. 2xxx년 글로벌 반도체 시장은 약 4120억 달러 규모였으며, 그중 EUV 기술을 사용하는 첨단 공정의 수요는 연평균 20% 이상 성장하고 있다. EUV는 노광시 발생하는 투과율 문제가 해결되지 않아 기존 장비보다 복잡한 광학계와 고성능 레이저 발생 장치를 필요로 하는데, 이로 인해 초기 투자 비용이 매우 높다는 특징이 있다. 특히, ASML은 EUV 공정용 리소그래피 장비 시장을 사실상 독점하며 2022년 기준 1대의 EUV 리소그래피 장비는 약 1.5억 유로 이상에 달한다는 보고도 있다. EUV 기술은 기존 노광 방식보다 한층 정밀한 회로를 실현하는 데 중요한 역할을 담당하며, 투자와 개발이 지속적으로 이루어지고 있다. 특히…