[반도체] Chemical Vapor Deposition(CVD)

1. Chemical Vapor Deposition 개요

Chemical Vapor Deposition(CVD)은 반도체 제조 공정에서 중요한 역할을 하는 증착 기술로, 기체상 화합물을 기판 표면에 화학 반응시켜 얇은 막을 형성하는 방법이다. 이 기술은 주로 실리콘 산화막, 질화막, 금속막 등을 형성하는 데 사용되며, 고품질의 균일한 박막을 제작할 수 있다는 장점이 있다. CVD 공정은 온도와 압력을 제어하여 증착 속도와 두께를 정밀하게 조절할 수 있어, 매우 정밀한 반도체 소자의 제작에 적합하다. 예를 들어, 2022년 글로벌 반도체 시장의 성장률이 약 8.4%에 달했으며, 이와 함께 CVD 기술을 활용한 증착량도 연평균 4.5% 성장하는 추세를 보이고 있다. CVD는 크게 열적 CVD, 저압 CVD, 화학 증기 증착(PECVD)로 구분되며, 각각 공정 조건과 특성에 따라 선택적으로 사용된다. 열적 CVD는 고온 조건에서 기체 화합물을 기판 위에 증착시키며 주로 실리콘 산화막을 형성하는 데 이용된다. PECVD는 낮은 온도에서도 높은 품질의 박막 증착이 가능해 복잡한 기판이나 열에 민감한 재료에 적합하며, 나노기술과 연성 회로 개발 등 다양한 분야에 적용된다. CVD가 가진 또 다른 중요한 특징은 높은 적층 …