[반도체 취업] 8대공정 간단 정리 및 추가 개념 상세 설명

1. 반도체 8대 공정 개요

반도체 제조 공정은 매우 정밀하고 복잡하며, 총 8단계의 핵심 공정을 통해 반도체 칩이 만들어진다. 이 공정들은 웨이퍼 제작, 산화, 포토리소그래피, 식각, 침적, 이온주입, 금속배선, 패키징으로 구성된다. 먼저, 웨이퍼 제작은 주로 실리콘 단결정에서 시작되며, 이를 단결정 실리콘 잉곳을 성장시키는 인고트법(인고트 성장법)에 의존한다. 인고트는 직경이 300mm 또는 450mm인 큰 크기로 성장되며, 이 크기 확장은 생산 효율성과 수율 향상을 위해 중요한 역할을 한다. 이후 폴리실리콘이 웨이퍼로 절단되어 표면이 연마되고 결정격자가 일정한 초순수 상태로 만들어진다. 산화 단계에서는 실리콘 표면에 산화실리콘(SiO2) 층을 형성하는데, 이 산화막은 이후 공정에서 절연막 또는 보호막 역할을 수행하며, 두께는 최대 20nm까지 조절된다. 포토리소그래피는 회로 패턴을 형성하는 핵심 단계로, 감광제(포토레지스트)를 웨이퍼 표면에 도포한 후, 패턴을 노광하고 현상하여 원하는 회로 패턴을 미세하게 형성한다. 이 공정은 10nm 이하 트랜지스터 제작에 필수적이며, 최신 공정은 유리 색상 패턴 해상도를 3nm 이하로 낮추는 기술이 적용…