[논문] ULTRATHIN GE,ZNSE SUPERLAT

1. 서론

초고얇기(ultrathin) 소재는 현대 전자 및 광학 기술 발전에 있어 핵심적인 역할을 담당하고 있으며, 특히 Ge, ZnSe와 같은 재료는 뛰어난 전기적, 광학적 특성으로 주목받고 있다. Ge는 반도체 소자에 적합한 우수한 전자 이동도와 낮은 열저항을 지니고 있어 차세대 미세 전자기기 개발에 핵심적 재료로 활용되고 있으며, 2020년 기준 전 세계 반도체 시장 규모가 약 5560억 달러에 달하는 가운데, Ge 기반 고성능 디바이스의 수요가 지속적으로 증가하고 있다. ZnSe는 넓은 밴드갭(약 2.7 eV)을 갖고 있으며, 파장 선택적 광학응용, UV 레이저, LED 등에 자주 활용되어 왔으며, 특히 초고얇기 코팅 기술에서 뛰어난 광투과율과 내구성을 보여준다. 최근 연구들은 이 두 재료를 초얇은 두께로 제작했을 때의 특성 변화에 집중하고 있는데, Ge는 5 nm 이하의 초얇기 층에서 전자 이동도가 20% 이상 향상되는 현상이 보고되었으며, ZnSe는 3 nm 두께에서도 광학적 투과율이 85% 이상 유지되는 성질이 확인되었다. 이와 함께, 이들 재료의 층이 초얇아질수록 응용 가능 범위가 넓어지고 있는데, 예를 들어 2D 전극, 고성능 센서, 초고속 디바이스 등에 적용이 기대…