Si wafer KOH etching(실리콘 웨이퍼 에칭)

Si wafer KOH etching(실리콘 웨이퍼 에칭)

1. 서론

실리콘 웨이퍼 제조 과정에서의 에칭 기술은 반도체 산업에서 매우 중요한 역할을 담당하고 있다. 그중 KOH(Kalium Hydroxide)를 이용한 실리콘 에칭은 가장 널리 사용되는 선택적 에칭 방법 중 하나로, 미세 구조 형성과 패턴 형성에 핵심적인 기술이다. KOH 에칭은 실리콘 표면에 선택적이고 균일한 제거율을 가지며, 특정 방향성으로 에칭이 진행되어 정밀한 미세가공이 가능하다는 장점이 있다. 이러한 특성 덕분에 MEMS(미세전자기계시스템), 트랜지스터 공정, 광학 소자의 제작 등 다양한 분야에 응용되고 있다.

KOH 용액의 농도, 온도, 시간에 따라 에칭 속도와 결과물이 달라지기 때문에 공정조건의 정밀 제어가 중요하다. 일반적으로 30~40% 농도의 KOH 수용액에서 80~100도 사이의 온도 조건하에 실리콘을 에칭할 때, 하루 만에 수 마이크로미터 두께의 제거가 가능하며, 에칭률은 약 1~5μm/hr 이다. 특히 KOH는 (111)면과 (110)면에 비해 (100)면의 에칭 속도가 빠른 성질이 있는데, 이는 결정 구조에 따른 미세공학적 설계에 매우 유리하다. 실제로 KOH를 이용한 실리콘 에칭은 정밀 가공이 가능하…