Semiconductor Process

1. 반도체 공정 개요

반도체 공정은 반도체 소자의 성능과 기능을 결정하는 핵심 공정으로써, 매우 정밀하고 복잡한 단계로 이루어진다. 반도체 칩은 크게 설계, 제조, 패키징 단계로 나누어지며, 제조 단계에서 가장 핵심적인 공정이 반도체 공정이다. 반도체 공정은 실리콘 웨이퍼 위에 회로를 형성하는 일련의 공정을 의미하며, 주로 포토리소그래피, 증착, 식각, 산화, 이온주입, 메탈증착, 화학기상증착(CVD) 등 여러 가지 공정이 반복적으로 수행된다. 포토리소그래피는 회로 패턴을 웨이퍼에 전사하는 핵심 기술로, 현대 반도체 공정의 비용과 시간의 대부분을 차지하며, EUV(극자외선) 기술이 도입되면서 미세공정이 더욱 정밀해지고 있다. 디램과 같은 기존 DRAM 칩의 경우 10나노미터 이하 공정이 일반적이며, 최근 선도 기업인 TSMC와 삼성전자는 3나노 공정을 상용화하여 각각 2022년과 2023년에 양산을 시작하였다. 이러한 미세공정 기술의 발전은 반도체 성능 향상과 집적도 증대를 가져오며, 3나노 공정은 1인치 웨이퍼에서 수백억 개의 트랜지스터를 집적하는 것을 가능하게 만들어 주었다. 제조 공정은 또한 높은 순도와 일정한 품질을 확보하는 것이 매…