MEMS 및 ICS에 식각공정 분류와Low-pressure CVD(LPCVD), Plasma-Enhanced CVD(PECVD)의 원리

1. MEMS 및 ICS 식각공정 개요

MEMS(Microelectromechanical Systems)와 ICS(Interconnections) 제조공정에서 식각공정은 핵심적인 역할을 한다. 이들 공정은 미세한 구조물을 형성하거나, 기존 층에서 필요 없는 부분을 제거하여 원하는 패턴을 만들기 위해 수행된다. 식각공정은 크게 건식식각과 습식식각으로 나뉜다. 건식식각은 주로 반응성 이온 식각(RIE), 플라즈마 식각 기술을 이용하며, 미세가공의 정밀도를 높일 수 있어 최근 MEMS 제작에 널리 사용되고 있다. 습식식각은 화학약품을 이용한 용해 제거 방식으로, 구조물의 두께 조절이 용이하지만 정밀도를 떨어뜨릴 수 있다. MEMS 제작에서 식각공정은 구조물의 크기와 형태, 재료 특성에 따라 선택된다. 예를 들어, 실리콘 기반 MEMS 제조에는 수십 나노미터 수준의 정밀도가 요구되며, 이에 따라 RIE 공정을 주로 활용한다. 또한, 식각공정은 미세 구조의 깊이와 벽면의 수직도를 결정하는 중요한 단계이며, 이를 통해 센서, 액추에이터, 마이크로레이저 등 다양한 구조물이 완성된다. 2020년 기준 MEMS 시장 규모는 약 170억 달러였으며, 이중 식각공정이 차지하는 비중은 70% 이상인 것으로 조사된다. 반면…