인하대학교 나노집적반도체소자 MOSCAPACITOR 설계 및 분석

인하대학교 나노집적반도체소자 MOSCAPACITOR 설계 및 분석 소개글 High-k 물질을 사용하였을 때의 MOS Capacitor와 동일한 EOT를 갖지만, SiO2만을 사용한 MOS Capacitor를 Boise State University에서 제공하는 Band Diagram Program을 사용하여 각각 제작 및 비교하였습니다. 더 나아가 아래 목차 에 구성되어 있는 내용들을 깊이 있게 다루어 보았으니 MOS CAPACITOR 설계 과정뿐만 아니라 반도체 커리큘럼을 희망하는 분은 분명 큰 도움 된다고 생각합니다. 감사합니다. 해당 보고서 내 직접적으로 설계 과정에 연관 있는 이미지를 제외하고 설명하려고 하고자 하는 대상에 관한 이미지들을 저작권법에 근거하여 제외 하였습니다. 하지만 해당 figure에 대한 소개와 참고문헌이 작성되어 있으니, 참고문헌을 참조하시기를 바랍니다. 목차 I. MOS Capacitor 동작 원리 - Gate Material - Metal Gate Material 고려사항 및 선택 - Oxide Material - Oxide Thickness/Charge/Traps - Subthreshold Swing (SS) - Semiconductor material - Semiconductor material 선택 - Si Doping Concentration 선택 - Body Effect(NMOSFET 기준) - MOS Capacitor 동작 원리(NMOS) - Flat Band - Accumulation (Strong/Weak) - Depletion - Threshold - Inversion (Strong/Weak) II. High-k 물질 도입에 대한 배경 - Moore의 법칙과 Device Scaling Down - High-k material 선택 및 조건 - Reasonable K value - Thermodynamic stability - Kinetic Stability - B…
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