º»¹®/³»¿ë
1.Áö¿ø µ¿±â
Àü·Â¹ÝµµÃ¼ ºÐ¾ß´Â ÷´Ü ±â¼úÀÇ ÇÙ½É ¿ä¼Ò·Î, Çö´ë »çȸÀÇ Áö¼Ó °¡´ÉÇÑ ¹ßÀü¿¡ ±â¿©ÇÏ´Â Áß¿äÇÑ ¿ªÇÒÀ» ´ã´çÇϰí ÀÖ½À´Ï´Ù. ¿¡³ÊÁö È¿À²¼ºÀ» ±Ø´ëÈÇϰí, Àü±âÂ÷ ¹× Àç»ý ¿¡³ÊÁö ½Ã½ºÅÛÀÇ ¼º´ÉÀ» Çâ»ó½Ã۱â À§Çؼ Àü·Â¹ÝµµÃ¼ ±â¼úÀº ÇʼöÀûÀÔ´Ï´Ù. ÀÌ·¯ÇÑ ±â¼úµéÀÌ Àü ¼¼°èÀûÀ¸·Î ȯ°æ ¹®Á¦ ÇØ°á°ú ÇÔ²² »ê¾÷ ±¸Á¶ÀÇ Çõ½ÅÀ» À̲ø°í ÀÖ´Ù´Â Á¡¿¡¼ Å« ¸Å·ÂÀ» ´À³¢°í ÀÖ½À´Ï´Ù. Àü·Â¹ÝµµÃ¼ »ê¾÷ÀÇ ¼ºÀå °¡´É¼º°ú ²÷ÀÓ¾øÀÌ ¹ßÀüÇÏ´Â ±â¼ú¿¡ ¸Å·áµÇ¾î ÀÌ ºÐ¾ß¿¡ ÁøÀÔÇϰíÀÚ °á½ÉÇÏ°Ô µÇ¾ú½À´Ï´Ù. Àü·Â¹ÝµµÃ¼ Áß¿¡¼µµ SiC MOSFET °³¹ß¿¡ ±íÀº °ü½ÉÀ» °¡Áö°í ÀÖ½À´Ï´Ù. SiC MOSFETÀº ½Ç¸®ÄÜ ±â¹ÝÀÇ ¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚº¸´Ù ³ôÀº Àü¾Ð ÀúÇ×¼º°ú ³ôÀº ¿Âµµ¿¡¼µµ ¾ÈÁ¤ÀûÀÎ ¼º´ÉÀ» À¯ÁöÇÒ ¼ö ÀÖ´Â ÀåÁ¡À» °¡Áö°í ÀÖ¾î, Àü±âÂ÷, ž籤 ÀιöÅÍ, °í¼Ó Àü·Â º¯È¯ ÀåÄ¡ µî ´Ù¾çÇÑ ÀÀ¿ë ºÐ¾ß¿¡¼ ±× °¡´É¼ºÀÌ ¹«±Ã¹«ÁøÇÕ´Ï´Ù. ÀÌ¿Í °°Àº ±â¼úÀÇ ¹ßÀüÀÌ ¿ì¸® »çȸÀÇ ¿¡³ÊÁö º¯È¯ È¿À²¼ºÀ» ³ôÀ̰í, ±Ã±ØÀûÀ¸·Î ±âÈÄ À§±â¸¦ ÇØ°áÇÏ´Â µ¥ ±â¿©ÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù´Â Á¡¿¡¼ ±íÀº Èï¹Ì¿Í µ¿½Ã¿¡ Ã¥ÀÓ°¨ÀÌ ´À²¸Áý´Ï´Ù. Çö´ë¸ðºñ½º´Â Àü·Â¹ÝµµÃ¼ ºÐ¾ß¿¡¼ ¶Ù¾î³ ±â¼ú·Â°ú °æÀï·ÂÀ» °®Ãá ±â¾÷À̹ǡ¦(»ý·«)