2025 동우화인켐 포토레지스트 재료 개발 직무 자기소개서 자소서 및 면접질문

1. 최근 3년 이내 도전적 목표를 수립하여 성취결과를 이뤄낸 경험에 대해 기술해주십시오

포토레지스트는 반도체 공정에서 ‘빛의 마스크’ 역할을 수행하며, 회로 패턴 형성의 정밀도와 직결되는 소재입니다. 그만큼 소재의 감광성, 분해 특성, 해상도, 잔류막 억제력 등이 미세하게 요구되며, 다양한 반응성을 고려한 복합적인 설계가 필요합니다. 저는 석사과정 중 EUV(EUV: Extreme Ultraviolet) 포토레지스트의 선구적 개발 연구에 참여하면서 이러한 소재 설계의 복합성을 직접 체득하였습니다.

당시 목표는 기존 ArF 포토레지스트보다 높은 해상도와 낮은 LWR(Line Width Roughness)을 구현하는 EUV용 고감도 단량체를 설계하고, 실제 감광 필름 특성으로 평가하는 것이었습니다. 첫 시도는 납작한 구조의 고흡수 고리계 단량체를 도입한 것이었지만, 소자의 투과율이 낮고 리소그래피 결과에서 과도한 crosslinking으로 패턴이 흐려지는 문제가 발생했습니다. 이 문제를 해결하기 위해 전자 밀도 분포를 기반으로 단량체의 핵심 치환기 구조를 개선했고, 우수한 감광성은 유지하되 과도한 경화반응을 억제하는 방향으로 반응 조건과 보호기 조성을 조정하였습니…(생략)