A DB하이텍 경력 주니어 SiC 자기소개서

1.지원 분야 및 직무 역량과 관련된 프로젝트/연구/경력사항에 대해 작성해 주십시오. (최소 100자, 최대 500자 입력가능)

SiC 전력반도체 소자 개발 및 공정 최적화 업무를 수행하며, 특히 SiC MOSFET의 공정 특성 확보와 수율 향상에 중점을 두고 실질적인 개선 성과를 창출해 왔습니다. 1200V~1700V급 SiC MOSFET 개발 프로젝트에서 Gate Oxide 신뢰성 확보와 Channel Mobility 개선을 위한 Post-Oxidation Annealing 조건 최적화를 주도하였으며, Interface Trap Density를 기존 대비 30% 이상 개선하였습니다. 또한, SiC 기판의 표면 거칠기와 Defect Density 관리가 전기적 특성에 미치는 영향을 분석하여 CMP 조건 및 EPI 두께 균일도를 최적화한 경험도 있습니다. 공정상 높은 온도 조건(1600℃ 이상)에서의 Dopant Activation 및 JFET 영역 제어를 위한 이온주입고온열처리 공정 최적화에 대한 이해도 또한 깊습니다. 신뢰성 평가(Rth, HTGB, HTRB, UIS 등)를 기반으로 고객 품질 인증 대응까지 수행한 바 있으며, Si 대비 훨씬 까다로운 공정 변수와 기판 품질 편차에 대한 통계적 대응 역량도 보유하고 있습니다.

2. DB하이텍 지원 동기 및 향후 계획을 작성…