A DB하이텍 경력 주니어 IGBT 자기소개서

1.지원 분야 및 직무 역량과 관련된 프로젝트/연구/경력사항에 대해 작성해 주십시오. (최소 100자, 최대 500자 입력가능)

IGBT 공정 개발 및 양산 대응 업무를 5년 이상 수행하면서, 고전압 전력 소자 특성 확보와 수율 향상에 중점을 두고 다양한 프로젝트를 주도해 왔습니다. 특히 600V~1200V급 NPT/FS 구조의 IGBT 제품 양산화 과정에서, Field Stop Layer 두께 제어 및 P+ Collector 확산 공정의 조건 최적화를 통해 BV(Breakdown Voltage) 편차를 25% 이상 개선한 경험이 있습니다. 또한, Trench Gate 구조 적용 시 Gate Oxide 신뢰성 확보를 위해 Clean 및 Gate Ox 성장 조건을 조정하고, TDDB/HTGB 테스트 기반으로 수명을 예측하며 공정 안정성을 확보하였습니다. 공정 내 주요한 CMP, Ion Implantation, Annealing 등 단위공정 간 상호작용을 고려한 DOE를 기반으로 수율을 4%P 이상 향상시킨 바 있으며, 고객사 요구에 따라 전기적 특성 조정 및 신뢰성 인증 대응까지 전주기적으로 관여했습니다. 각종 Failure 분석(EBAC, PFA 등)을 통한 조치 경험도 풍부합니다.

2. DB하이텍 지원 동기 및 향후 계획을 작성해 주십시오. (최소 100자, 최대 500자 입력가능…