A DB하이텍 경력 주니어 GaN 자기소개서

1.지원 분야 및 직무 역량과 관련된 프로젝트/연구/경력사항에 대해 작성해 주십시오. (최소 100자, 최대 500자 입력가능)

GaN 기반 반도체 소자의 공정 개발 및 양산 이관 업무를 수행하며, 소재 특성과 열적 특성을 고려한 공정 조건 최적화, 수율 개선, 신뢰성 평가까지 폭넓은 경험을 갖추었습니다. 특히 Si 기반 GaN-on-Si 구조에서의 스트레스 문제 및 Defect Density 개선을 위해 EPI 구조 변경과 CMP 조건을 조정하여 WARP 및 BOW 수준을 20% 이상 개선한 프로젝트를 주도한 바 있습니다. 또한, High Electron Mobility Transistor (HEMT) 소자의 Gate 구조 Etch 및 Passivation 공정 안정화, 전기적 특성 확보를 위한 Annealing 조건 최적화 등 세부 기술 개발에도 직접 참여하였습니다. GaN 특성상 발생할 수 있는 Thermal Budget 이슈에 대응하여 Diffusion Barrier 공정 도입 및 Metal Stack 안정화 솔루션을 적용해 고객 품질 인증을 획득한 경험도 있습니다. 고객과의 기술 커뮤니케이션, 양산 도입 시 FMEA 및 DOE 기반 공정 안정화 활동 등을 통해 전체 제품 개발 주기를 단축하며 성과를 창출했습니다.

2. DB하이텍 지원 동기 및 향후 계획을 작성해 …