온세미컨덕터 R D NPD Engineer for IGBT SiC MOSFET 자기소개서

1. 본인이 이끄거나 참여했던 IGBT 또는 SiC MOSFET 관련 연구개발 프로젝트 경험에 대해 상세히 기술해 주세요.

IGBT와 SiC MOSFET 분야의 연구개발에 지속적인 열정을 가지고 있으며, 관련 프로젝트를 수행하며 실무 역량을 키워 왔습니다. 특히, 고성능 전력반도체 소자의 신뢰성 향상과 효율 증대에 초점을 맞추어 다양한 연구와 개발 활동을 진행하였습니다. 선행 연구에서는 SiC MOSFET의 온도 특성 분석과 열관리 설계에 대한 연구를 수행하였으며, 이를 바탕으로 소자 내부 열 분포 모델링과 신뢰성 예측방법을 개발하였습니다. 이 과정에서 온도 특성 분석을 위해 다양한 온도에서의 전기 성능 측정 및 분석을 수행하였으며, 열분포를 최적화하기 위한 패키지 설계 개선 작업도 함께 진행하였습니다. 또한, IGBT의 페이징 손상 방지와 전류 일치성을 높이기 위한 공정 개선 프로젝트에 참여하였습니다. 특히, 게이트 산화막 두께 균일화와 산화막 품질 향상을 위한 공정 제어 방법을 개발하여 생산 수율 향상과 소자 신뢰성을 확보하였습니다. 이후, 고주파 특성 향상을 목표로, SiC 기반 인버터용 모듈 설계와 프로토타입 제작에 참여하였으며, 실험을 통해 인…