본문/내용
1. 서론
반도체 산업은 현대 사회의 근간을 이루는 핵심 산업이며 정보통신기술 발전의 견인차 역할을 한다. 스마트폰부터 슈퍼컴퓨터까지, 현대 사회의 모든 디지털 기기는 반도체의 성능에 직접적으로 의존한다. 이러한 반도체 소자의 성능 향상은 지난 수십 년간 미세공정 기술의 눈부신 발전에 크게 의존해왔다. 미세공정 기술은 반도체 소자의 크기를 축소하고 단위 면적당 트랜지스터 수를 늘려 집적도를 높임으로써 성능을 향상시키고 동시에 전력 소모를 줄이는 데 기여했다. 무어의 법칙이 예측한 대로, 트랜지스터의 수는 꾸준히 증가하여 성능은 기하급수적으로 향상되었고 가격은 꾸준히 감소했다.
그러나 지속적인 미세화는 이제 물리적 한계에 직면하고 있다. 5나노미터 이하의 첨단 공정에서는 전자의 터널링 현상으로 인한 누설 전류 증가가 심각한 문제로 부각된다. 극도로 작아진 트랜지스터 채널에서 전자가 터널링 현상을 통해 절연막을 통과하는 비율이 높아지면서, 전력 소모가 급증하고 성능 저하와 발열 문제가 발생한다. 또한, 미세한 패턴을 정확하게 구현하는 데 필요한 극자외선(EUV) 노광 기술의 해상도와 처리량에는 여전히 한계…