충북대학교 전자공학부 전자회로실험I 결과보고서 실험 9. MOSFET I-V 특성

1. 실험결과

5V)으로 설정했을 때, 드레인-소스 전압 V_DS를 점진적으로 증가시키면서 I_D를 다시 측정하였다. 이 과정에서 I_D는 V_DS의 증가에 따라 선형적으로 증가하다가 곧 포화 구역에 도달하는 양상을 보였다. 포화 영역에 접어든 후에도 I_D는 일정한 값으로 유지되었으며, 이는 MOSFET의 드레인 전류가 V_GS에 의해 결정되고, V_DS가 충분히 높을 경우 더 이상 증가하지 않음을 나타낸다. 따라서 V_GS 값에 따른 포화 전류를 확인하고자 V_GS 값을 다르게 설정하고 V_DS에 대한 I_D 값을 다시 측정하였다. 모든 측정 결과를 종합적으로 분석한 결과 MOSFET의 I-V 곡선은 V_GS가 낮을 때는 기울기가 크고 높은 전압 구간에서는 완만해지는 특징을 보였다. 이는 MOSFET의 동작 원리를 뒷받침하는 결과로, 게이트 전압에 의한 전기장이 채널 내의 전자 수를 조절하여 전류의 흐름을 제어함을 확인할 수 있었다. 실험 결과를 통해 얻은 I-V 특성 데이터는 비선형 곡선을 형성하였고, 어떤 V_GS 값일 때 포화 영역에 들어가는지 확인할 수 있었다. 이 모든 데이터는 MOSFET의 전기적 특성을 이해하고, 이를 기반으로 한 응용 가능성을 탐색하는 데 중요한 기초 자료가 …(생략)