충북대학교 전자공학부 전자회로실험I 결과보고서 실험 7. MOSFET 기본 특성 1

1. 실험결과

이번 실험에서는 MOSFET의 기본 특성을 이해하고, 그 작동 원리를 실습을 통해 관찰하였다. 실험에 사용된 MOSFET는 N채널 소자로서, 여러 가지 전압 조건하에서의 드레인 전류(ID)와 게이트-소스 전압(VGS) 간의 관계를 분석하였다. 실험 과정에서 VGS 값을 조절하여 각기 다른 드레인 전류를 측정하고, 이를 통해 MOSFET의 I-V 특성을 파악하였다. 실험의 첫 단계로, MOSFET의 게이트 전압을 0V에서 시작하여 점차적으로 증가시켜 갔다. 이 과정에서 VGS가 임계 전압인 VTH에 도달할 때까지 ID가 거의 0에 가까웠다. VGS가 VTH를 초과하자 ID가 급격히 증가하기 시작했다. 이는 MOSFET가 활성화되면서 전도 모드에 진입했음을 나타낸다. ID는 VGS의 증가에 따라 비례적으로 상승하는 경향을 보였으며, 이는 전도 영역에서 MOSFET이 작동하고 있음을 뒷받침하는 결과였다. 다음으로, VGS가 일정 값으로 고정된 상태에서 드레인 전압(VDS)을 변화시켰다. VDS가 증가하는 동안 ID 역시 증가했으며, 이는 드레인 전류가 드레인 전압의 함수로서 어떻게 변화하는지를 나타낼 수 있었다. 처음에는 ID가 증가하지만, 특정 VDS 값에 도달하면 포화 상태에 도달하여 I…(생략)