충북대 전자회로실험 실험 9 MOSFET 공통 게이트 및 공통 드레인 증폭기 예비

1) 공통 게이트(CG Common Gate) 증폭기

2) 공통 드레인(CD Common Drain) 증폭기
4. 실험
1. 실험 목적

MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 공통 게이트 및 공통 드레인 증폭기는 전자 회로에서 널리 사용되는 두 가지 중요한 증폭기 구성이다. 본 실험의 목적은 이러한 MOSFET 증폭기의 특성과 동작 원리를 이해하고, 이를 바탕으로 회로 설계 및 분석 능력을 향상시키는 데 있다. MOSFET는 높은 입력 임피던스와 낮은 출력 임피던스를 제공하여, 다양한 신호 처리 응용 분야에서 효율적으로 작동할 수 있도록 한다. 공통 게이트 증폭기는 전압 증폭을 위한 회로로, 입력 신호가 게이트에 직접 연결되며, 드레인에서 출력 신호를 얻는다. 이 구성은 주로 고주파 응용 분야에 유리한 특성을 가지며, 입력 전압 변화에 따라 출력 전압의 비율을 결정하는 전압 이득을 제공한다. 반면, 공통 드레인 증폭기, 일명 소스 팔로워는 임피던스 변환 소자로서, 높은 입력 임피던스를 유지하면서 낮은 출력 임피던스를 가지는 특징이 있다. 이는 주로 신호의 버퍼링과 전송을 위해 사용되며, 출력 전압은 입력 전압과 거의 같은 값을 유지하는 성질…(생략)