충북대 전자회로실험 실험 2 MOSFET 특성 결과

1. 실험 결과

이번 MOSFET 특성 실험에서 얻어진 결과는 여러 가지 중요한 요소를 포함하고 있다. 실험에 사용된 MOSFET은 N채널과 P채널 두 가지 유형으로 구성되었으며, 각각의 IV 특성을 분석하고 비교하였다. 첫째, N채널 MOSFET의 경우, 게이트 전압이 증가함에 따라 드레인 전류가 어떻게 변화하는지를 관찰할 수 있었다. Vgs가 일정 이상으로 증가하면, MOSFET이 켜지면서 드레인 전류가 급격히 증가하기 시작하는 것을 확인하였다. 이러한 현상은 MOSFET의 동작 특성 중 하나로, Vgs가 소스-드레인 전압(Vds)보다 크면 전류가 흐르기 시작하는 것을 의미한다. 특히, Vgs가 임계치인 Vth를 초과할 때부터 전류가 선형적으로 증가하는 경향을 보였다. P채널 MOSFET에서도 유사한 경향을 관찰하였다. Vsg가 증가함에 따라 드레인 전류가 증가하는 양상을 보였으며, 이 경우 역시 Vsg의 임계값을 초과해야 하였다. 실험을 통해 얻어진 데이터로부터 N채널과 P채널 MOSFET의 특성이 반대 방향의 전압에서 동작한다는 점을 명확히 이해할 수 있었다. 내부 회로에서의 전압 분포 또한 실험에 따른 데이터 수집을 통해 명확히 알 수 있었다. 실험에서는 드레인-소스 전압(V…(생략)