HEMT 발표 PPT

1. Hetero-junction

Hetero-junction은 서로 다른 반도체 재료 간의 접합을 의미하며, 이 접합은 전자 소자의 성능을 극대화하는 데 중요한 역할을 한다. Hetero-junction은 주로 두 가지 재료가 다른 에너지 밴드 갭을 가지며 서로 연결될 때 형성된다. 이러한 접합은 높은 전자 이동도를 가진 재료와 낮은 전자 이동도를 가진 재료를 결합하여, 소자의 전기적 특성을 조정하고 최적화할 수 있는 가능성을 제공한다. Hetero-junction의 주요 장점은 전자 이동도가 증가하고, 재조정된 밴드 구조에 의해 낮은 전압에서도 높은 전류를 흐르게 할 수 있다는 점이다. 예를 들어, GaN(갈륨 나이트라이드)과 AlGaN(알루미늄 갈륨 나이트라이드) 간의 Hetero-junction은 고주파 및 고전력 응용에 유리하다. 이러한 조합은 전력 소자에서 에너지를 효율적으로 전환할 수 있는 특성을 갖고 있으며, 특히 전력 증폭기 분야에서 그 중요성이 두드러진다. Hetero-junction의 물리적 배경에는 에너지 밴드 구조가 자리 잡고 있다. 서로 다른 반도체 재료가 접합될 때, 재료의 에너지 레벨에 따라 전자와 정공의 이동이 다양한 양상을 보일 수 있다. 예를 들어, 하나의 반도체에서 전자…