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목차/차례

  1. 1) 14.9장 JFET의 V-I 특성곡선 2
  2. 2) 14.10장 CS(COMMON-SOURCE) JFET 증폭기 5
  3. 가. SELF-BIAS (BYPASS CAPACITOR()) 5
  4. 나. SELF-BIAS (BYPASS CAPACITOR()) 8
  5. 다. 전압분배 바이어스 (BYPASS CAPACITOR()) 11
  6. 라. 전압분배 바이어스 (BYPASS CAPACITOR()) 13

본문/내용

1) 14.9장 JFET의 V-I 특성곡선 2

포화 영역, 선형 영역, 차단 영역이다. 포화 영역에서는 V_DS가 특정 값에 도달하면 더 이상의 증가에도 불구하고 I_D는 일정하게 유지된다. 이는 JFET의 특징으로, 전류가 V_GS(게이트-소스 전압)에 의해 제어되기 때문이다. 전압이 증가해도 채널의 폭이 더 이상 줄어들지 않으므로, I_D는 포화 상태에 이르게 된다. 선형 영역은 V_DS가 상대적으로 낮을 때 나타나며, 이 범위에서 I_D는 V_DS에 선형적으로 비례한다. 이 상태에서는 JFET가 증폭기로 동작할 수 있는 상황이 된다. 또한, 이 영역에서 I_D는 V_GS에 따라 달라진다. V_GS가 더 커지면 채널의 저항이 줄어들어 I_D가 증가하게 되며, 반대로 V_GS가 감소하면 I_D는 줄어드는 형태를 보인다. 선형 영역의 특성은 JFET가 아날로그 신호를 증폭하는 데 사용될 수 있도록 하며, 이는 오디오 장비나 RF 회로 등에서 유용하다. 차단 영역은 V_DS가 0 또는 낮은 값을 유지할 때 나타난다. 이때에는 I_D가 거의 흐르지 않으며, JFET는 일종의 스위치처럼 작동하게 된다. V_GS가 특정 값(보통 V_GS(off))보다 작아질 경우, 전류가 거의 흐르지 않아 JFET는 차단된…



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