Semiconductor Device and Design - 6,

1. FET(NMOS, PMOS) Process

FET(Field Effect Transistor) 기술은 반도체 소자의 핵심 구성 요소로 자리 잡고 있다. 특히 NMOS(negative-channel metal-oxide-semiconductor)와 PMOS(positive-channel metal-oxide-semiconductor) 구조는 현대 집적 회로에서 필수불가결한 역할을 한다. 이 두 가지 전극 구조는 상호 보완적으로 작용하여 CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor) 기술을 기반으로 한다. NMOS와 PMOS의 제조 공정은 각각의 전기적 특성과 성능을 최적화하기 위해 정밀한 단계로 이루어진다. FET 소자의 제조는 일반적으로 실리콘 웨이퍼를 기초로 한다. 웨이퍼는 고순도 실리콘 잉곳을 절단하여 얻으며, 이는 후속 공정을 위한 기초 재료가 된다. 첫 단계로 웨이퍼의 표면을 청소하고 산화막을 형성하여 기판을 보호한다. 산화막의 두께는 전기적 특성과 관련이 깊으며, 이 산화막은 이후의 도핑과 공정에서 중요한 역할을 한다. NMOS 소자의 경우, n형 도펀트인 인(P) 또는 비소(As)가 사용된다. 이 도핑 공정을 통해 NMOS 소자의 소스와 드레인 영역이 만들어진다. 먼저, 포토리소그래피를 통해 산화막에 패턴을 형성하고, 패턴에 따라 n형 도펀…