[A＋자료] 반도체 물성과 소자 9~10장 정리

1. 9장 금속-반도체 이종접합 및 반도체 이종접합

9장에서는 금속-반도체 이종접합 및 반도체 이종접합에 대한 중요한 개념과 원리를 다룬다. 금속-반도체 이종접합은 금속과 반도체 간의 접합으로, 이 접합의 특성은 전자 및 구멍의 이동과 관련된 많은 응용을 가능하게 한다. 이종접합의 형성 과정에서 전자 구조의 변화가 발생하며, 따라서 이 접합의 전기적 특성도 중요한 연구 주제가 된다. 금속-반도체 이종접합에서 가장 중요한 요소 중 하나는 접합 면의 일치도와 성질이다. 금속과 반도체의 에너지 밴드 구조가 상이하기 때문에, 이들이 맞닿는 면에서는 에너지 밴드의 왜곡이 발생하게 된다. 이러한 왜곡은 접합 면에서의 전자 밀도 분포, 전위 장, 그리고 결국 캐리어의 이동에 영향을 미친다. 예를 들어, 금속과 반도체 사이의 전기적 특성과 접합의 반도체 캐리어 농도에 따라 전류-전압 곡선은 비선형적으로 변화할 수 있다. 금속-반도체 접합에서 일어나는 주요 현상 중 하나는 접합 다이오드의 형성과 관련이 있다. 이때, 금속의 전자와 반도체의 전자가 상호작용하면서 전기적 장벽이 형성된다. 이 전기적 장벽은 전류가 원활하게 흐르지 못하도록 하는 …