반도체 공정 및 응용 HW 1

1. Comparison of conventional MOSFET and Fin FET (Including feature, structure, working principle, fabrication sequence, etc.)

반도체 소자의 핵심인 MOSFET은 트랜지스터의 일종으로, 전압에 따라 전류의 흐름을 조절할 수 있는 장치이다. 일반적인 MOSFET은 평면 구조를 가지며, 도핑된 반도체 기판 위에 금속의 게이트를 두는 구조이다. 이러한 평면형 MOSFET은 낮은 전압에 대한 스위칭 성능이 뛰어나지만, 소자 규모를 줄이면서 발생하는 단점들, 즉 짧은 채널 효과 및 전력 소비 문제 등이 생겨났다. 이에 대한 대응으로 등장한 것이 Fin FET이다. Fin FET은 `핀`이라는 의미를 가진 다차원 구조를 채택하여 전류를 보다 효과적으로 제어할 수 있도록 설계되었다. Fin FET 팹의 구조는 기본적으로 수직으로 세운 핀 모양의 활성 영역을 갖고 있으며, 이 핀을 감싸는 방식으로 게이트가 위치한다. 이러한 구조 덕분에 Fin FET은 전기장이 보다 강하게 작용하게 되어, 짧은 채널에서도 전류의 흐름을 제어할 수 있는 능력이 발휘된다. 이는 대칭적으로 점유된 게이트 전극으로 인해, 더 나은 전작용 효과를 제공하며, 상대적으로 낮은 전압에서도 높은 스위칭 …