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기판 (glass, silicon 등) 클리닝 공정 정리

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목차/차례

  1. 1. Wet cleaning
  2. 1-1) RCA cleaning
  3. 1-2) Piranha cleaning
  4. 1-3) DHF cleaning
  5. 2. Dry cleaning

본문/내용

1. Wet cleaning

sodium hydroxide), 유기 용매(예 isopropyl alcohol, deionized water) 등이 있다. 이러한 화학 물질들은 각기 다른 성질을 가졌으며, 특정한 오염 물질에 대해 높은 세정력을 발휘한다. pH 조절에 의한 가용화)과 같은 화학 물질에 담가서 세정되는 경우가 많다. 이 과정은 유기 오염물질, 불순물들을 효과적으로 제거하는 데 도움을 준다. 이 후, 기판은 반복적으로 헹구어서 잔여 화학 물질이 남지 않도록 한다. 헹굼 단계에서는 초순수 물을 사용하여 세척 이후 화학물질의 잔여물이 기판에 남지 않도록 하는 것이 중요하다. 또한, 세정 후 기판은 자외선(UV) 조사나 건조 공정을 통해 더욱 높은 청정성을 확보할 수 있다. 자외선 처리는 표면에 남아 있을 수 있는 미세한 유기물까지 파괴하는 데 효과적이다. 이와 함께, 건조 과정에서는 열풍기나 진공 건조기를 활용하여 물리적으로 수분을 제거한다. 최근에는 nano-scale의 오염물질까지 처리할 수 있도록 Wet cleaning 공정에서 초음파 세척이나 Ozone 처리와 같은 고급 기술이 도입되고 있다. 초음파 세척은 진동을 통해 액체 내에서 기판의 표면에 부착된 미세한 먼지나 오염물질을 제거하는 …



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Date : 2025-08-04
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