목차/차례
1. NMOS의 기초
1) MOSFET에서의 transconductance 개념
2) 최적 biasing point의 중요성
3) MOSFET의 transfer curve 및 output curve 특성
4) NMOS 설계 과정에서의 목표 달성 방법
5) 시뮬레이션 결과와 이론적 분석 비교
2. Common-Source 및 Source Follower 증폭기
1) Common Source 증폭기의 작동 원리
2) Source Follower의 작동 방식
3) Vin의 biasing point 설정 이유
4) 낮은 load 저항에서의 Source Follower 장점
5) R1, R2, Rd, Rs 값 및 NMOS로 설계한 current source 과정
6) 추가 논의
본문/내용
1. NMOS의 기초
NMOS는 n형 금속 산화물 반도체의 약자로, 전자 이동도가 높다는 특징을 갖고 있다. NMOS 트랜지스터는 전압이 게이트에 인가되면 소스와 드레인 사이에 전자가 흐를 수 있는 경로를 형성한다. 이 과정에서 게이트 전압이 임계 전압을 초과하면, 채널이 형성되어 전류가 흐르게 된다. NMOS는 일반적으로 소스가 낮은 전위에 연결되고, 드레인이 높은 전위에 연결되는 구조를 갖고 있다. NMOS의 주요 장점은 높은 스위칭 속도와 낮은 온 저항이다. 때문에 디지털 회로나 아날로그 회로에서 널리 사용된다. NMOS의 동작은 게이트 전압과 밀접한 관련이 있으며, 베이스 전압에 따라 작동 상태가 정의된다. NMOS는 기준 전압에 따라 세 가지 상태, 즉 차단 모드, 선형 모드, 포화 모드로 나뉜다. 차단 모드는 게이트 전압이 임계값 이하일 때 나타나며, 이때는 전류가 흐르지 않는다. 선형 모드는 게이트 전압이 임계값을 초과할 때 적용되며, 이 상태에서 NMOS는 증폭기로 작동하게 된다. 마지막으로 포화 모드는 드레인 전압이 낮을 때 발생하여, 큰 전류를 제공하며 증폭 효과가 극대화된다. NMOS는 또한 환경의 영향을 받는다. 온도 변화, 전압 편차, 공정 …