디스플레이공학 ppt 요약(MOS 동작 원리, 농도 단위, 반도체 공정에서 사용되는 산,염기, 반도체 제조 공정에서 금속의 불순물, Water Cleaning SC-1 soluti

1. MOS의 동작 원리

MOS는 Metal-Oxide-Semiconductor의 약자로, 반도체 소자의 한 종류이다. MOS 소자는 전압에 따라 전류를 제어할 수 있는 능력 때문에 중요한 전자 소자이다. MOS 소자의 기본 원리는 전압에 의해 전도대와 가전자대의 에너지 밴드 구조가 변화하면서 전자와 정공의 농도가 조절되는 데 있다. MOS 소자는 크게 세 부분으로 구성된다. 첫 번째는 게이트(Gate), 두 번째는 산화막(Oxide), 세 번째는 기판(Substrate)이다. 게이트는 전압을 인가하는 전극이며, 산화막은 일반적으로 실리콘 산화물(SiO로 이루어져 있어 게이트와 기판 사이의 절연체 역할을 한다. 기판은 보통 n형 또는 p형 반도체로 만들어지며, 소자의 동작에서 주된 역할을 한다. MOS 소자의 작동 원리는 게이트 전압에 의해 시작된다. 게이트에 전압이 인가되면, 산화막을 통해 전기가 흐르지 않지만, 반복적으로 전기장이 형성된다. 이 전기장은 게이트 아래의 기판에 영향을 미쳐 기판의 전자와 정공 농도를 변화시킨다. 예를 들어, n형 기판에 양의 전압이 인가되면, 기판의 정공이 게이트쪽으로 끌려 올라가 전도대가 형성된다. 이 현상을 `역전층`이라고 하며, 이때 MOS 소자에서 …