반도체 7개공정 요약본

1. Wafer 제조

반도체 제조의 첫 단계인 웨이퍼 제조는 반도체 소자의 기초가 되는 실리콘 웨이퍼를 만드는 과정이다. 이 과정은 고순도의 실리콘을 원료로 시작되며, 주로 단결정 실리콘으로 이루어진 웨이퍼를 생산한다. 먼저, 고순도의 실리콘 원료인 실리콘 결정체(Single Crystal Silicon)를 확보하는 것이 중요하다. 일반적으로는 고순도의 실리콘을 용해하여 결정성장이 이루어지는 Czochralski 공정을 통해 얻어진다. 이 과정에서 실리콘 원료를 고온에서 녹이고, 그 속에서 단결정 실리콘을 천천히 뽑아내어 원통형의 잉곳(Ingots) 형태로 만든다. 이 잉곳은 다음 단계에서 얇게 절단되어 웨이퍼로 가공된다. 웨이퍼의 두께는 일반적으로 150mm에서 300mm까지 다양하며, 두께는 반도체 소자의 최종 제조 공정에 따라 달라진다. 잉곳이 만들어진 이후에는 이를 얇은 슬라이스로 절단하여 부르고 웨이퍼가 된다. 이 절단 과정에서는 다이아몬드 블레이드를 사용하여 정밀하게 절단된다. 절단된 웨이퍼는 크기와 두께가 일정해야 하며, 웨이퍼의 평탄도와 표면 품질 또한 중요하다. 웨이퍼 절단 후에는 연속적인 연마 과정을 거쳐 표면을 매끄럽고 평탄하게 만드는 …