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목차/차례

  1. 1. 웨이퍼
  2. 2. 산화
  3. 3. 포토리소그래피
  4. 4. 식각
  5. 5. 확산
  6. 6. 이온 주입
  7. 7. 증착
  8. 8. 금속 공정
  9. 9. EDS
  10. 10. 패키징 (Packaging)

본문/내용

1. 웨이퍼

웨이퍼는 반도체 소자의 제조 과정에서 핵심적인 역할을 담당하는 물질이다. 일반적으로 실리콘이 가장 널리 사용되지만, 카바이드, 질화갤륨 등 다양한 반도체 물질이 사용될 수 있다. 웨이퍼는 얇은 원판 모양으로, 일반적으로 두께는 몇 백 마이크로미터에서 시작하여 수 밀리미터에 이르기까지 다양하다. 이러한 두께와 크기는 소자의 종류와 필요에 따라 달라진다. 웨이퍼의 기초는 단결정으로, 이는 물질의 원자가 규칙적이고 일관되게 배열된 것을 의미한다. 단결정 구조는 높은 전기적 및 열적 특성을 제공하므로, 반도체 소자에서 중요한 특성으로 작용한다. 웨이퍼 제조 공정은 일반적으로 고순도의 실리콘을 사용하여 시작된다. 실리콘 원료는 고온에서 녹여서 단결정 실리콘으로 재결정화된다. 이 과정에서 Czochralski 공정이 자주 사용되며, 이는 실리콘 봉을 만드는 과정이다. 실리콘 붕괴 결정을 성장시키기 위해 실리콘 결정의 작은 씨앗을 용융된 실리콘에 담가서 서서히 꺼내는 방식이다. 이렇게 성장한 큰 실리콘 결정은 슬라이스 과정을 통해 얇은 웨이퍼로 절단된다. 이어서 마무리 공정을 통해 웨이퍼의 표면이 광택을 내고 세척된다. 이…



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I D : daso******
Date : 2025-08-20
FileNo : 25641821

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