반도체 금속공정

1. 8대 공정 순서

반도체 금속공정은 집적회로의 전기적 연결을 형성하고, 전자 소자의 성능을 극대화하는 중요한 단계다. 이 공정에는 여러 가지 기술이 적용되며, 일반적으로 8대 공정 순서로 진행된다. 이 순서는 리소그래피, 식각, 증착, 금속배선, 어닐링, CMP(화학적 기계적 평활화), 패키징 등으로 구성된다. 시작은 리소그래피로, 이 과정에서 포토레지스트라는 감광성 물질을 웨이퍼 표면에 도포한 후, 특정 패턴의 빛을 쬐어 패턴을 형성한다. 이때 사용되는 빛의 파장은 짧아서 미세한 구조를 정확히 구현할 수 있다. 포토레지스트가 노출된 부분은 화학적 반응을 통해 소실되거나 남게 되고, 이후 현상 과정을 통해 원하는 패턴이 웨이퍼에 남는다. 다음 단계는 식각이다. 리소그래피 과정에서 남겨진 포토레지스트 패턴을 따라 웨이퍼의 노출된 부분을 제거하는 과정이다. 건식 식각과 습식 식각이 일반적인 방법으로, 건식 식각은 기체 상태의 화학 반응을 이용하여 표면을 선택적으로 제거한다. 습식 식각은 화학 용액을 사용하여 물질을 용해시키는 방법이다. 이 과정을 통해 특정 영역에 전도성을 부여하는 금속 배선이 생성될 수 있는 기반이 마련된다. …