반도체 기본 공정

1. 웨이퍼

웨이퍼는 반도체 제조 공정의 핵심적인 요소로 기능하는 기초 소재이다. 일반적으로 웨이퍼는 실리콘, 갈륨 비소, 또는 기타 반도체 재료로 만들어지며, 이들은 전자 소자의 기본 구조를 구성하는 기판 역할을 한다. 웨이퍼는 일반적인 지름이 200mm, 300mm 또는 심지어 그 이상에 이르는 대형 원판 형태로 생산되고, 두께는 보통 수백 마이크로미터에서 수 밀리미터까지 다양하다. 웨이퍼의 제작 과정은 정교하며, 첫 번째 단계는 고순도의 실리콘 결정체를 성장시키는 것이다. 일반적으로 사용되는 방법은 Czochralski 공정으로, 이 공정은 고온의 용융 상태의 실리콘에 석영 크리스탈 씨앗을 담가서 회전시키면서 서서히 끌어 올리며 결정 단결정을 형성하는 과정이다. 이로써 얻어진 단결정 실리콘 잉곳은 이후 절단 및 연마 과정을 거쳐 웨이퍼 형태로 가공된다. 이때 주의해야 할 점은 웨이퍼의 표면이 매끄럽고 균일해야만 다음 공정에서 높은 정확도를 유지할 수 있다는 것이다. 웨이퍼의 수가 증가하고 다양한 요구 조건에 맞추기 위해, 반도체 산업에서는 다양한 종류의 웨이퍼가 필요하다. 예를 들어, 각종 파라미터에 따라 고대역폭, 고온 내구성, …