(특집) 포토공정 심화 정리4편. 노광(Exposure) 과 PEB

[1] Exposure & Alignment

노광(Exposure) 공정은 반도체 제조 과정에서 중요한 단계로, 포토레지스트(resist) 층 위에 패턴을 형성하는 데 핵심적인 역할을 한다. 이 공정에서 사용되는 광원은 대개 자외선(UV)이며, 이 UV 빛은 마스크를 통해 포토레지스트에 전달된다. 마스크는 원하는 패턴을 형성하기 위해 디자인된 얇은 판으로, 패턴이 정의된 부분과 투명한 부분으로 이루어져 있다. 노광 단계에서 패턴화된 마스크가 포토레지스트가 도포된 웨이퍼 위에 위치하게 되고, UV 빛이 비춰지면서 마스크를 통과하지 않은 부분에만 빛이 닿아 포토레지스트 화학적 성질이 변화하게 된다. 노광 과정의 주요 목표는 마스크에 정의된 패턴을 웨이퍼의 포토레지스트에 정밀하게 전사하는 것이다. 이 과정에서 높은 정확성과 정밀도가 요구되며, 이를 위해 각종 정렬 장비와 기술이 사용된다. 배치 노광 시스템에서는 웨이퍼와 마스크 간의 정렬이 필수적이다. 부정확한 정렬은 패턴의 왜곡이나 겹침을 초래할 수 있으며, 이는 후속 공정에 큰 영향을 미친다. 따라서 노광 공정에서는 정밀한 정렬 장치가 필수적이며, 고해상도 카메라와 센서를 사용하여 자동으로 마스크와 웨…