A＋받은 JFET와 증폭기 예비레포트

실험 14. JFET와 증폭기 1. 실험목적 (1) JFET의 드레인 전류 에 대한 Drain-Source 전압 , Gate-Source 전압 의 효과를 결정 한다. (2) JFET의 드레인 특성을 실험으로 측정한다. (3) JFET의 특성상의 차이점을 알아본다. (4) Common Source JFET 증폭기의 이득을 측정한다. 2. 실험 이론 양방향 트랜지스터는 두가지 형태의 Carrier(Hole, electron)의 운동에 의해 동작한다. 이와 반대로 한 가지 형태의 Carrier에 의해 동작하는 트랜지스터로는 Field Effect Transistor(FET)가 있다. FET은 높은 입력 임피던스의 전압제어 소자이며, 접합형(JFET, Junction)과 금속산화반도체형(MOSFET, Metal oxide semiconductor)의 두가지 종류가 있다. 두 트랜지스터는 모두 Drain Current 가 Gate Volatge 에 의해 제어되는 전계효과 트랜지스터이다. 아래의 그림 1은 N채널과 P채널 JFET이다. 그림 1. JFET의 N채널과 P채널 1) JFET의 동작원리 그림 2는 N채널 JFET을 나타낸 것이다. JFET은 Gate, Source, Darin 3단자를 가지고 있으며, Channel은 N형 반도체로 이루어져 있다. Channel 양쪽에 P형 반도체인 Gate가 반도체 접합을 이루고 있어 JFET이라 부른다. P형 반도체의 옴접촉은 Gate의 단자 리드로 작용한다. 그림 2.(a)와 같이 내부적으로 게이트가 연결되어 있을 때 ‘단일 게이트 FET’이라 하고, 각 게이트가 접합에서 분리되어 있는 그림 2.(b)는 쌍 게이트 FET라 한다. 그림 2. N채널 JFET FET 드레인 소스 게이트 BJT 컬렉터 이미터 베이스 표 1. FET와 BJT의 단자 비교 - 2 - BJT에서는 컬렉터 전류 가 베이스 전류 에 의해 제어되는 데 비해, JFET의 경우 드레인 전류 가 게이트-소스 …
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