[레포트]기계공학실험

학번 : 60062711 성명 : 정 한 신 1.결과 레포트 샘플 만드는 공정 및 관련 사용 장비 명을 A4 반페이지 분량으로 적는다. ○기판-cleaning -기판인 wafer는 반도체의 재료가 되는 얇은 원판으로서, 실리콘(Silicon)이나 갈륨비소(gallium-arsenic)등 단결정 막대기를 얇게 썬 둥근판이며 서브스트레이트 혹은 실리콘 웨이퍼 라고 불린다. 웨이퍼의 표면은 결함이나 오염이 없어야하고 평탄도가 우수해야 하는데 그 이유는 회로의 정밀도에 영향을 미치기 때문이다. Cleaning 공정 ◎제조 공정 중 cleaning 공정 Dewaxing→ Spin dry→ DSS(Double Side Scrubber)→ AIS(Automatic Inspection Station)→ MIS(Manual Inspection Station) ◎기본적인 wafer cleaning 공정 수분을 완전히 제거한 상태로 stripper 세정(10분 이상)→ DI water(이온이 없는 물)에 rinse→ 산 세정액(황산+과산화수소) 처리 (5분 이상)→ 드라이 ○Sputter -Sputter란 박막을 제조하는 장치로 한쪽에는 크롬이나 백금과 같은 금속을 두고 또 다른 한쪽에는 박막을 씌울 재료를 놓고 전압을 인가하여 크롬 혹은 백금을 이온화 하여 다른 한쪽에 얇은 박막을 형성하는 장치이다. 이때 Sputter 내부에는 진공상태이며 아르곤 가스를 소량 주입하여 Sputting을 한다. ○Dielectric layer -Dielectric layer 는 절연체로서 Electrode layer 위와 Hydrophobic layer 그 중간 사이에서 절연 역할을 하는 layer이다. 보통 Dielectric layer는 자기장의 변화를 주는 곳에 쓰이며 이는 자성은 막지 않기 때문이다. 생성 공정은 원심력을 이용하여 …
-Dielectric layer 는 절연체로서 Electrode layer 위와 Hydrop…