[물리학실험 레포트 보고서] 반도체 소자의 특성 곡선

2007년 2학기 일반물리실험 예비 문제 (반도체소자의 특성 곡선) A 실험실 1. 이번 실험의 목적은 접합다이오드, (제너)다이오드의 특성 곡선을 측정하여 그 결과를 비교 분석함으로써 반도체의 특징을 이해하는 것이다. 2. (반도체)는 전기전도도가 도체와 절연체 사이에 있는 고체이다. 3. (p형 반도체)는 3족 원소인 인듐이나 갈륨 같은 불순물을 첨가하여 양전하를 증가시켜 전기전도도를 증가시킨 것이다. 4. (n형 반도체)는 5족 원소인 비소나 안티몬 같은 불순물을 첨가하여 음전하 운송자의 수를 증가시켜 전기전도도를 크게 증가시킨 것이다. 5. 다이오드에 전압을 가하여 동작시키는 것을 (바이어스(bias))라 한다. 6. P형 반도체와 n형 반도체를 금속적으로 접합하여 만든 것을 (접합 다이오드)라 한다. 7.접합 다이오드에 역방향 바이어스를 걸면 전류는 어떻게 되는가 미세하게 흐름 8. (트랜지스터)는 두 개의 넓은 p형 반도체 사이에 매우 얇은 n형 반도체를 끼워 넣어 샌드위치 형태로 만든 것이다. 9. PNP트랜지스터에서 가운데 n형 반도체의 명칭은 무엇인가 베이스 10. 전원의 양극에 p형 반도체를, 음극에 n형 반도체를 접속시키는 것을 (순방향 바이어스)이라 한다.