실험6예비보고서. BJT amplifier - DC bias

실험6. BJT amplifier - DC bias (예비보고서) 1.실험목적 (1)BJT회로에서 바이어스 점 결정을 위한 DC바이어스 회로에 대해 공부한다. (2)하나의 저항을 이용한 간단한 바이어스 회로와 두 개의 저항으로 구성되는 전압분배 회로의 바이어스 회로의 장단점을 실험 측정을 통해 확인한다. (3)자기 바이어스 회로에서 BJT특성에 무관한 동작을 위한 회로 구성을 실험을 통해 알아본다. 2.기초이론 BJT는 차단모드 포화모드 능동모드의 세가지 영역에서 동작한다. 각 모드에서 트랜지스터의 물리적 특성과 외부에 연결된 회로에 의해 트랜지스터의 바이어스 점이 결정된다. 차단모드와 포화모드에서의 트랜지스터는 스위치 동작을 사용하는데 차단 모드에서는 이미터에서 컬렉터로 매우 작은 양의 역방향 전류만 흐르게 되는 반면 포화 모드에서는 컬렉터에서 이미터가 단락된 형태의 많은 양의 전류가 흐르게 된다. 전류량은 연결된 회로에 의해 결정되는데 차단 모드와 포과모드에서의 동작은 주로 디지털 회로에서 사용된다 일그러짐 없는 증폭을 위해서는 입력 신호가 트랜지스터 특성 곡선의 선형 영역에서 동작하도록 베이스가 바이어스 되어야한다 그렇지 않으면 그림 6-1과 같이 포화 또는 차단 영역에 있게된다 그러므로 트랜지스터를 바이어스 시키는 방법이 주어진 입력 신호레벨에 대해 발생되는 출력을 결정한다. 1개의 저항을 이용하는 간단한 BJT바이어스 회로 그림 6-2와 같이 상대적으로 매우 큰 1개의 저항을 전원가 베이스 사이에 연결하여 BJT의 바이어스 회로 구현이 가능하다 바이어스 저항의 양단의 전압 강하는 RbIb로 표현되어 의 관계를 가지므로 베이스 전류와 컬렉터 전류는 각각 식 6-2 , 6-3 과 같다. 식 6-3의 컬렉터 전류는 트렌지스터의 순방향 전류 전달비 베타와 베이스 이미터 전압 Bbe의 온도 의존성을 같는다 즉 그림 6-2의 바이어스 회로는 트랜지스터의 베타와 온도에 매우 민감하여 정확한 바이어스 점을 예측하기 어려운 단점을 갖는다 전압…
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