실험4예비보고서. BJT(Bipolar Junction Transistor)의 특성

실험4. BJT(Bipolar Junction Transistor)의 특성
(예비보고서)


1.실험목적
BJT 소자의 문턱 전압(threshold voltage)를 측정한다.
IB의 변화가 IC에 미치는 영향을 측정한다.
β를 측정, 결정한다.
npn형 BJT의 컬렉터(VCE-IC)특성 곡선군을 실험적으로 결정하고 그래프로 그린다.
점 대 점 방법(point-by-point method)를 이용하여 BJT의 평균 컬렉터 특성 곡선군을 관측한다.

2.기초이론
BJT 구성 및 특성

바이폴라 접합 트랜지스터(BJT : Bipolar Junction Transistor)는 PN접합의 실리콘(Si) EH는 게르마늄(Ge) 다이오드에 한층을 더하 여, p형과 n형 반도체 3개를 결합하여 만든 소자이다.
그 구성에 따라 npn형과 pnp형으로 나눈다. 결합한 3개의 반도체는 이미터 (emitter), 베이스(base), 컬렉터(collector)의 3개의 단자로 구분되는데, npn형 BJT는 이미터 영역은 n형, 베이스 영역은 p형, 컬렉터 영역은 n형으로 구성된다. pno형 BJT는 이미터 영역은 p형, 베이스 영역은 n형, 컬렉터 영역은 p형으로 구성된다.

BJT 동작 및 바이어스
일반적으로 BJT는 아날로그 교류 신호 증폭 등의 용도로 능동 모드(activ…