[자연과학] 물리학 실험 - 테브난의 정리

1. 실험 제목 : 테브난의 정리 2. 실험 목적 - 본 실험을 통해 테브난의 정리를 이해하고 이를 통해 복잡한 회로에서 테브난의 등가회로를 구한다. 테브난 정리의 유용함을 실험을 통해 알아본다. 테브난의 정리를 통하여 노튼의 정리까지 함께 이해한다. 3. 실험 준비물 -디지털 멀티미터(DMM) -직류 전원 공급기(Power Supply) -저항(7개) : 100Ω, 220Ω, 330Ω, 470Ω, 1kΩ, 3.3kΩ, 가변저항 10kΩ -기판(BreadBoard) -전선, 니퍼, 집게코드 4. 실험 순서 1) [그림 6-4]의 회로에서 사용되는 저항을 측정하고, 회로를 구성하라. 2) [표 6-1]의 각 부하 저항에 대해 VL과 IL을 측정한 후, 그 결과를 [표 6-1]에 기록하라. 3) 두 단자 A와 B사이의 부하 저항을 제거하여 두 단자 사이에 인가되는 테브난 등가전압 Vth를 측정하고, 입력 전원을 단락시킨 다음 두 단자 사이에 나타나는 테브난 등가저항 Rth를 측정하여 [표6-1]에 기록하라. 4) [표 6-1]의 각 부하 저항에 대해 5.3에서 측정된 등가전압과 등가저항을 사용하여 테브난 등가회로를 결선한 후, VL과 IL을 측정하여 그 결과를 [표 6-1]에 기록하라 5) [그림 6-5]의 브릿지 회로를 구성하라. 6) [그림 6-5]의 회로에 대해 5.2를 반복하고 등가전압 Vth와 등가저항 Rth의 층정치를 [표 6-2]에 기록하라 7) [그림 6-5]의 회로에 대해 5.4를 반복하고 그 결과를 [표 6-2]에 기록하라. 5. 실험 결과 1) 실험과정 5.2~5.4의 결과를 다음의 표에 기록하라. 부하저항(RL) 원 회로 테브난 등가회로 VL IL VL IL 470Ω 0.628V 1.336mA 0.628V 1.336mA 1kΩ 0.846V 0.846mA 0.846V 0.846mA 3.3kΩ 1.092V 0.331mA 1.091V 0.33…
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