|
| |
|
|
화합반도체
파일 
화합반도체.hwp
[Size :
62 Kbyte
]
화합반도체.hwp
[Size :
62 Kbyte
]
분량 15 Page
가격 1,000 원
×
링크주소가 복사 되었습니다.
원하는 곳에 붙혀넣기 하세요
원하는 곳에 붙혀넣기 하세요
카트
|
다운받기
|
 네이버 ID로 다운 받기  카카오 ID로 다운 받기  구글 ID로 다운 받기  페이스북 ID로 다운 받기 |
뒤로
|
자료설명
moype(화합반도체)
목차/차례
- 1.서론
- 2. Heterojunction의 특성
- 3. Heterojunction 반도체쌍의 선택
- 4. 단결정층 성장법(Epitaxy)
- 1. Metal-Organic Vapor Phase Epitzxy (MOVPE)
- 2. 기본공정 및 장치
- 3. MOVPE 반응
- 4. MOVPE 반응의 특징
- 5. 결정성장 조건의 선택
본문/내용
2. Heterojunction의 특성
Bandgap energy가 다른 반도체를 서로 접합시키면 이들의 energy band구조에 따라 특유의 conduction band 및 valence band의 밴드배열(line-up)이 형성된다. 소자의 기능을 발휘하는 데에 많이 사용되는 대표적인 밴드배열을 그림 1에 도시하였다. Bandgap energy가 작은 반도체를 A, 큰 반도체를 B라고 표시한다.
그림 1(a)와 같은 heterojunction의 경우 B에 있는 전자들은 energy가 낮은 A로 이동하고자 한다. 전자들이 이동하면 A에는 양전기를 띤, 격자에 고정되어 있는 원자들을 남기게 되므로 A로 이동하는 전자의 수는 양전기를 띤 원자와 이들 전자와의 전기적(electrostatic)균형에 의해 결정된다. A로 이동한 전자들은 A와 B와의 계면(interface)에 놓여있게 되고 따라서 A의 conduction band energy를 낮추게 된다. 이 결과 A의 conduction band에는 semi-triangular potential well이 형성되고 계면과 수직한 방향으로의 전자의 움직임은 양자화(quantized)된다. 이러한 potential well에 있는 전자를 이차원적 전자가스 (2-dimensional electron gas, 2-DEG)라고 한다. 이 구조는 MODFET(혹은 High Electron Mobility Transistor(…
Bandgap energy가 다른 반도체를 서로 접합시키면 이들의 energy band구조에 따라 특유의 conduction band 및 valence band의 밴드배열(line-up)이 형성된다. 소자의 기능을 발휘하는 데에 많이 사용되는 대표적인 밴드배열을 그림 1에 도시하였다. Bandgap energy가 작은 반도체를 A, 큰 반도체를 B라고 표시한다.
그림 1(a)와 같은 heterojunction의 경우 B에 있는 전자들은 energy가 낮은 A로 이동하고자 한다. 전자들이 이동하면 A에는 양전기를 띤, 격자에 고정되어 있는 원자들을 남기게 되므로 A로 이동하는 전자의 수는 양전기를 띤 원자와 이들 전자와의 전기적(electrostatic)균형에 의해 결정된다. A로 이동한 전자들은 A와 B와의 계면(interface)에 놓여있게 되고 따라서 A의 conduction band energy를 낮추게 된다. 이 결과 A의 conduction band에는 semi-triangular potential well이 형성되고 계면과 수직한 방향으로의 전자의 움직임은 양자화(quantized)된다. 이러한 potential well에 있는 전자를 이차원적 전자가스 (2-dimensional electron gas, 2-DEG)라고 한다. 이 구조는 MODFET(혹은 High Electron Mobility Transistor(…
참고문헌
1. J. Gowar, Optical Communication Sustems, Prentice Hall International (1984)
2. C. Lin(edited), Optoelectronic Technology and Lightwave Communications Systems, Van Nostrand Reinhold (1989)
3. H. Kressel and J. K. Butler, Semiconductor Lasers and Heterojuncton LEDs, Academic Press (1977)
4. H. C. Casey and M. B. Panish, Heterostructure Lasers, Part A and B, Academic Press (1978)
5. G. H. B. Thompson, Physics of Semiconductor Laser Devices, Wiley (1980)
6. G. P. Agrawal and N. K. Dutta, Long-wavelength Semiconductor Lasers, Van Nostrand Reinhold (1986)
7. W. T. Tsang (edited), Semiconducters and Semimetals vol 22, Part D, Academic Press (1985)
8. M. Shur, GaAs Devices and Circuits, Plenum (1987)
9. P. H. Ladbrooke (edited), MMIC Desigh V GaAs FETs and HEMTs, Atrech House (1989)
10. H. Morkoc and H. Unlu, in Semiconducters and Semimetals (edited by R, dingle) vol. 24. Academic Press (1987), p135
11. R. Dingle, in Gallium Arsenide Technology (edited by D. K. Ferry), SAMS (1985), p107
12. H. C. Casey and M. B. panish, Heterostructure Lasers, Part A, Academic Press (1978), p187
13. C. M. Wolfe, N. Holonyak, Jr., and G. E. Stillman, Physical Properties of Semiconductors, Prentice Hall (1989), p275
14. K. Hess, Advanced Theory of Semoconductor Devices, Prentice Hall (1988), p142
15. C. Weisbush, in Semiconducters and Semimetals (edited by R. Dingle) vol. 24. Academis Press (1989), p1
16. P. D. Dapkus, Ann, Rev. Mater. Sci. vol. 12 (1982), p243
17. M. L. Ludowise, J. Appl. Phys. vol. 58 (1985), R31-R55
18. J. J. Coleman and P. D. Dapkus, in Gallum Arsenide Techmology (edited by D. K. Ferry), SAMS (1985)
19. G. B. Stringfellow, in Semiconductors and Simimetals (edited by W. T. Tsang) vol. 22. Part A, Academic Press (1985)
20. M. Razeghi, in Semiconducters and Simimetals (edited by W. T. Tsang) vol. 22. Part A, Academic Press (1985)
21. J. W. Natthews and A. E. Blakeslee, J. Crystal Growth 27 (1974), p118
22. R. People and J. C. Bean, Appl. Phys. Lett. 47 (1985), p322
23. L. Nakajima, in Semiconductors and Semimetals (edited by W. T. Tsang) vol. 22. Part A, Academic Press (1985). p1
24. G. Beuchet, in Semicondctors and Semimetals (edited by W. T. Tsang) vol. 22. Part A, Academic Press (1985), p261
25. G. H. Olsen, in GaInAsP Alloy Semicinductors (edited by T. P. Pearsall), John Wiley ＆ Sons (1982), p11
26. W. T. Tsang, in Semiconductors and Semimetals (edited by W. T. Tsang) vol. 22. Part A, Academic Press (1985), p95
27. E. H. C. Parker, The Technology and Physics of Molecular Beam Epetaxy, Plenum (1985)
28. W. T. Tsang, in VLSI Electronics V Microstructure Science vol. 21 : Beam Processing Technology
| 📝 Regist Info |
|
I D : hgsj****** Date : 2014-06-27 FileNo : 16199505 |
Cart  | |
| |