이온침탄과 이온질화 및 표면 경화(질화)jo.

1절. 이온침탄

1. 이온침탄이란

이온침탄은 플라즈마 침탄이라고도 하며, 약 900이상의 고온이 필요하기 때문에 외부 히터로서 가열된다. 이 방법은 처리할 부품을 진공로에 장입하고 탄화수소 계 가스를 감압 분위기 중에서 가열해서, 음극에 놓여 있는 처리물과 전극 사이에 높은 전압을 걸어 글로우 방전이 생기게 하여 플라즈마를 발생시킨다. 이때 글로우 방전에 의해 분위기 중의 탄소는 이온화되면서 큰 운동 에너지를 가진 이온([C]+)으로 되며, 이 탄소 이온이 처리물 표면에 충돌하여 내부로 침투하게 되면 침탄이 되는 것이다. 최근에는 반도체 제조 기술에 이온 주입이 응용되고 있다. 이처럼 플라즈마의 이용 분야는 무한한 가능성이 있다.

2. 이온침탄의 특징

① 장치 및 탄소농도 관리가 간편하다.
② 전처리 및 침탄 방지가 간단하고 표면이 광택을 갖는다.
③ 침탄 속도가 빠르고 침탄 효율이 높다.
④ 고탄소 및 복합 침탄이 가능하다.
⑤ 경제적이며, 환경이 개선된다.