재료의 산화실험

산화막을 형성하는 방법에는 두 가지가 있는데 건식산화와 습식산화가 있다. 먼저 건식산화는 Si wafer위에 Dry Oxidation (건식 산화) : Si (solid) + O2 (gas) → SiO2 (solid)에 의해서 산화막이 형성되는데 물을 증발시켜 수증기를 이용해 산화막을 성장시키는 방법으로 성장속도가 빨라 두꺼운 산화막 성장 등에 사용된다. 습식산화는 습식산화 : Si + 2H2O → SiO2 + 2H2 이고 단시간에 두툼한 산화막이 필요하면 습식 산화막을 만들어 쓰게 되며 얇지만 빈틈없이 치밀한 산화막 (게이트 처럼)을 필요로 하면 건식 산화막을 만들어 쓴다. 습식 및 건식산화 방법으로 산화막 성장. 성장률 상수, 성장률 곡선을 구하며 열산화 방법(Wet / Dry)에 따른 산화막 두께, 그리고 각 방법에 대해 웨이퍼의 결정성에 대한 산화막 두께 차이를 알아볼 수 있다. 100, 111웨이퍼 모두 습식 산화의 경우가 훨씬 많은 양의 열산화막을 성장 시킬 수 있다. 이렇게 습식산화의 경우가 건식보다 빠르게 산화되는 이유는 산화원으로 반응기에 제공되는 H2O2 Vapor와 O2 Gas의 고체 실리콘에서의 용해도 차이에 의한다.