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반도체 공정의 이해(Si base)

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자료설명
반도체 기본공정교육을 수료한후
Si Base 반도체의 전체적인 Device 제작 과정과
각 공정별 이론 및 원리, 실습 결과 등을 정리한 자료로서
반도체 입문 초보자들에게는 유용한 자료가 될 것입니다.

반도체공정의이해(Sibase)
목차/차례

1. 반도체 Device 제작 과정(Si Base)

2. Oxidation

3. Photo

4. Etch(Dry Etch)

5. Metallization

6. CVD

7. Ion Implantation

본문/내용
1. 반도체 Device 제작 과정(Si Base)
- p-type Si 기판에 산화막을 성장시킨다(Furnace).
※화합물은 CVD공정을 거쳐 산화막을 형성한다.
- Spin Coater를 통해 PR을 도포한다 .
.....
2. Oxidation
- Si Substrate에 dopant를 implant or diffusion 시킬때 보호막
역할 수행
- Device간의 Electricaly Isolation 기능(Field Oxide)
.....
3. Photo
- 반도체 Device 제작 공정은 여러 재질(Oxide, Metal, Impurity,
etc)을 원하는 패턴으로 여러 층을 형성해 가는 과정을 말한다.
.....
4. Etch ......
5. Metallization......
6. CVD ......
7. Ion Implantation......
참고문헌
서울대학교 반도체 기본공정교육 자료



📝 Regist Info
I D : cher*******
Date : 2014-05-15
FileNo : 16167218

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