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3. 탄소나노튜브 연구의 국내외 기술동향 및 수준
(1) 국외의 기술동향 및 수준
탄소나노튜브는 1991년도 일본의 NEC의 Iijima 박사에 의해 그 구조가 처음 발견된 이후로 미국, 영국, 독일 등 선진 각 국에서 탄소나노튜브에 관한 물성과 응용연구를 활발히 수행하여 성장기술에서 괄목할만한 연구 성과를 거두어, 1997년도에는 미국에서 세계 10대 hot 연구과제에 선정되기도 했다. 그러나 FED, 전지전극, 연료전지, 메모리소자 등의 응용을 위해서는 아직도 탄소나노튜브 성장기술면에서 해결해야할 과제가 산적해 있다.
탄소나노튜브를 FED소자, 전지전극 및 연료전지, 메모리소자 등에 응용하기 위해서는 기초기반기술 측면에서는 수직성장기술, 저온성장기술, 대량생산기술, Si 기판이용기술, 대면적 성장기술 등 극복해야할 과제가 많이 있고, 소자응용기술 측면에서는 신뢰성있고 고효율인 FED 제조기술, 안정된 전극제조기술, 대용량 연료전지제작기술, transistor 구조 및 회로 설계기술, 탄소나노튜브 조작기술 등에서 앞으로 해결해야할 과제가 많다. 다행이 선진연구그룹의 탄소나노튜브 기초연구는 상당히 진척되어 있지만 탄소나노튜브의 응용연구는 아직 초보적 단계이므로 국내에서도 이분야에 효율적이고 집중적인 연구지원을 하면 조만간 외국의 선진연구그룹과 거의 동일한 수준에 도달할 수 있을 것으로 예상된다. 최근 일부 선진연구그룹에서 탄소나노튜브의 수직성장에 성공함으로써 FED 개발이 매우 빠른 속도로 진행되고 있고 또한 국제적인 공동연구도 활발하게 추진되고 있는 실정이다. 미국의 Motorola와 Candescent 사는 HP, Compaq, Sony와 공동투자하여 탄소나노튜브를 이용한 FED 제작연구를 이미 착수하였고, 일본의 Noridake, Canon, Fudaba등에서도 탄소나노튜브를 이용한 FED에 적용하기위한 연구에 본격적으로 착수한 상태이다. 하지만 아직까지 신뢰성있는 FED matrix를 제작하여 발표한 팀은 없다.