반도체의 개념과 제조법

그러나 녹는점에서의 휘발성이 높은 성분이 함유된 화합물 등 고휘발성 성분의 반도체결정을 만드는 경우에는, 그 성분의 발산(發散)을 막는 기법이 필요하다. 예컨대 인화갈륨(갈륨인)의 녹는점(1467℃)에서 인의 증기압은 35기압이므로, 인화갈륨용액에서 인화갈륨반도체의 결정을 만들기 위해서는, 그와 같은 고온·고압하에서 결정을 성장시키지 않으면 안되는 난점이 있다. 그러나 인화갈륨용액 위에 산화붕소를 띄우면, 이것이 그 용액 전체를 덮게 되는 현상이 활용됨으로써, 지금은 비교적 쉽게 인화갈륨반도체의 결정을 만들 수 있게 되었는데, 이러한 기법을 ＜액체캡슐법＞이라 한다. 고휘발성 성분의 증기압을 제어하면서 용액에서 결정을 성장시키는 방법에는 ＜수평(水平)브리지맨법＞이 있다