테브닌정리

이와 유사하게 R1과 R2의 접점인 b점의 전위를 구할 수 있는데 a점과 b점의 전위차가 바로 Vab가 된다. 따라서 3Ω 저항 R3 6Ω 저항인 R4의 전압 분배기에서 VR4는 48V이고, VR3의 크기는 24V이다. 이와 유사하게 12Ω의 R1 저항과 4Ω의 R2 저항의 전압분배기에서 VR2는 54V이고, VR1는 18V이다. 따라서 Vab는 30V가 된다. 이것은 (-)기준점의 전압을 계산하던 (+)기준점의 전압을 계사나던 그 크기는 같다. RTH를 구하기 위해서 a, b단자를 개방시킨 상태에서 72V를 단락시면 그림 1-3(c)와 같은 회로를 구할 수 있다. 단자 ab에서 들여다 보면 3Ω의 R3저항과 6Ω의 R4저항은 병렬연결이므로 합성저항 RTA=2Ω이고 이와 유사하게 12Ω의 R1의 저항과 4Ω의 저항 R2저항 역시 병렬연결이므로 RTB=3Ω이 구해진다. 따라서 RTH는 2Ω과 3Ω이 더해져서 5Ω의 크기를 갖게된다. 따라서 테브닌의 등가회로를 구성하면 그림 1-3(d)와 같은 회로를 구성 할 수 있고, IRL은 5A의 크기를 갖는다. (2) 노턴의 정리 노턴의 정리는 전압원 대신 전류원을 이용해서 회로망을 간략화 시키는 이론으로 벨 전화기 횟사에 근무하던 과학자 E. L. Norton의 이름을 딴 것이다. 노턴의 정리는 전류원을 갖는 간단한 병렬회로로 회로망을 간력화시키게 되는데, 이것은 전압원의 경우는 직렬저항의 전압분배기 전압원의 크기가 일치하지만, 전류원의 경우는 각 지로 전류의 크기가 전류원의 크기와 같다는 개념을 이용한다. a + a 회 로 망 IN RN - b b 그림 1-4 노턴의 정리 노턴의 정리는 그림 1-4에 표시된 것처럼 단자 a, b 사이에 연결되어지는 회로망은 단일 전류원 IN과 한 개의 저항 RN이 …
노턴의 정리는 그림 1-4에 표시된 …