트랜지스터

4. 트랜지스터의 기초;밑면과 설치 PNP와 NPN 트랜지스터의 배선기호가 그림10-7의 (a)와 (b)에 보이는데 화살표가 있는 단자가 이미터이고 대칭으로 존재하는 단자가 콜렉터이다. PNP트랜지스터는 이미터 화살이 베이스로 들어가고 NPN형에서는 베이스로 부터 나간다는 사실에 의해 2가지 형이 구별된다. 전자 전류가 트랜지스터 안으로 흐르는 것은 화살표의 방향에 반대임을 주목하라. 트랜지스터는 전력을 소모하는 능력에 따라 정격이 정해진다. 낮은 음향증폭기에 사용되는 트랜지스터는 50W정도의 전력정격을 가질 수 있다. 출력 증폭기에 사용되는 트랜지스터는 더 높은 전압정격을 갖는다. 전력 트랜지스터의 케이스는 쉽게 냉각될 수 있도록 특별하게 설계된다. 예를 들면 어떤 출력 트랜지스터는 열을 전도 방출하기 위해 방사 핀을 사용한다. (그림 4참조) 다른 형은 그 트랜지스터가 사용되는 장비의 금속 섀시 위에 설치하는 금속 틀(case)을 갖는다. 이러한 트랜지스터에서 콜렉터는 트랜지스터 틀(case)에연결되어 있다. 섀시는 열을 전도 방출한다. 이런 형의 트랜지스터는 물리적으로 금속섀시에 고정시킬 떄 더 높은 전력정격을 갖게 되고 섀시에서 떨어져 설치시킬 떄 더 낮은 정격전력을 갖게 된다. 다음 리스트는 트랜지스터 매개 변수를 나타내는데 사용되는 기호를 모아 표시한 것이다. VBB 베이스에 공급 전압 ICB 콜렉터와 베이스간 전류 VKJ 소자들 간의 회로 전압 예를 들면 소자 K와 J사이에 회로 전압 UCB 콜렉터와 베이스 사이의 전압 5. 트랜지스터 회로를 다루고, 트랜지스터를 측정하기 위한 기본 수칙