MOS 전계효과 트랜지스터

3. 증가형과 공핍형
게이트 전압을 인가해서 채널이 형성된 MOS 트랜지스터를 증가형(enhancement type)이라 한다. 이것에 대해서 절연물-반도체의 경계에 있는 계면 상태 등에 의해서 반도체 표면의 에너지대가 만곡되어 게이트 전압을 인가하지 않아도 반전이 일어나 채널이 형성되어 있는 경우가 있다. 이것을 공핍형(depletion type)이라 한다.
n채널 MOS 트랜지스터의 증가형과 공핍형의 ID-VG 특성과 함께 ID-VD 특성을 그림에 나타낸다. p채널의 경우는 그림의 VG의 극성을 바꾸면 된다.

4. 단채널 효과
채널 길이가 짧게 되면 다음과 같은 원인 때문에 동작 특성에서 멀어진 특성이 나타난다.
채널길이가 감소해 소스 및 드레인 접합의 공핍층의 넓이가 채널길이가 같은 정도로 된다. 이 경우 채널 내의 전위 분포는 게이트 전압에 의한 가로 방향 전계 및 드레인 전압에 의한 세로 방향 전계에 의존하여 2차원으로 된다. 이 전위의 2차원 분포는 드레인 전류나 문턱 전압에 영향을 준다. 또 펀치쓰루 효과 때문에 전류 포화가 일어나지 않게 된다.
전계가 증가하면 채널내의 캐리어의 이동도는 전계 의존성을 나타내 소위 핫 캐리어(hot carrier)로…(생략)