I-V measurement

I Introduction
전자재료, 특히 반도체 재료에서 전기적 특성(electrical properties)을 조사하는 것은 상당히 중요하다. 이런 electrical property를 측정하는 방법 중에 I-V 측정이 있는데, 이는 우리가 원하는 재료에 특정 전압을 흘려 주었을 때 이에 반응하여 나타나는 전류를 측정함으로써 그 재료의 비저항이라든가 누설전류(leakage current) 특성, 그리고 파괴 전압 (breakdown voltage) 등을 측정할 수 있다. 이런 측정값을 토대로 우리가 증착한 유전체 박막의 특성을 평가할 수 있게 된다.
이런 I-V 측정을 이해 하기위해 먼저 일반적인 반도체 재료에서의 carrier transport phenomena에 대해서 간략히 알아본 다음 도체-부도체 사이의 contact으로부터 전류가 흐르는 메커니즘의 이해를 통해 voltage를 흘려줄 때 어떤 반응을 통해 전류가 유전체 박막을 통해 흐르게 되는지 알아보겠다. 그리고 마지막으로 실제 측정에서 사용되는 장비에 대해 간략히 소개하도록 하겠다.

II. Carrier Transport Phenomena in general materials
재료에서 전자와 전공(hole)과 같은 charged particle의 net flow에 의해 전류가 흐른다. 이런 흐름(flow)을 ‘transport…