이미터　접지　트랜지스터의　특성　실험

목적 이미터　접지　트랜지스터（Common Emitter Transistor）의　동작　원리를　배우고　중요한　전기적　특성를　관찰하고　측정하여　해석한다． 서론 쌍극성（bipolar) 트랜지스터는　이미터（emitter), 베이스（base),　콜렉터（collector)의　세　개의　영역으로　구성되어　있으며　두　개의　접합면을　가지고　있고　NPN와　PNP의　２종류가　있다．　베이스　내의　케리어（carrier)의　흐름을　매개로　이미터　전류의　변화가　콜렉터　전류의　변화로　나타나는　전류　제어형　소자이다． 이미터　접지는　전압，　전류　및　전력의　증폭율이　커서　베이스나　콜렉터　접지보다　더　많이　사용된다．　그러므로　이미터　접지에　대한　기본　전기적　특성을　이해하는　것은　매우　중요하다．　이　실험에서　베이스，　콜렉터　전류　관계와　콜렉터　대　이미터　전압　관계를　관찰하고　측정을　하며　콜렉터　특성　곡선을　그리고　그　특성　곡선으로부터　소자의　전류　이득을　얻는다． 실험　부품　및　기기 전자실험기（ED-2100): NO-2002１대전압계（VOM)１대NPN트랜지스터１개1㏀　저항：　１／４W１개１０㏀　저항：　１／４W１개 실험　결과 그림 1 실험회로