에미터-베이스 접합구조와 온도변화에 따른 HBT의 DC및 AC 특성

HBT의 장점

Wide Bandgap Emitter Structure
Low Base Current
High Current gain
High Base Doping & Low Emitter Doping
Low Base resistance
Low Emitter-Base capacitance (CJE)
High Cutoff- frequency (fT)

Abrupt and Graded Heterojunction

Abrupt Heterojunction
서로 다른 물질을 mole fraction
조절 없이 접합한 구조
Spike에 의한 높은 전위언덕
낮은 Emitter 주입효율
Collector Current가 작다

Graded Heterojunction
접합지점에서 접합의 경계면까지 mole fraction을 변화
Abrupt에 비해 Spike의 높이가 낮아져 전위언덕 높이 감소
Abrupt보다 상대적으로 큰 Collector Current를 가진다.

Undoped Setback layer

Base로 주입되는 전자의 전위장벽 상대적 감소
에미터 주입효율 향상
Setback Layer 추가 시 공핍 영역의 recombination도 증가


Setback layer 두께와 전류이득
관계에 따라 적절한 Setback Layer 두께 설계 필요